3mm InGaAs PIN 포토다이오드 TO5

전문 광전자 부품 제조업체 및 공급업체인 Box Optronics는 3mm InGaAs PIN 포토다이오드 TO5(모델: BPD-3STO5B-FW)를 제공합니다. 향상된 집광, 높은 응답성(1310nm에서 일반적으로 0.9A/W, 1550nm에서 0.95A/W), 낮은 암전류 및 낮은 정전 용량을 위한 넓은 3mm 활성 영역이 특징입니다. 컴팩트한 TO5 패키지 디자인으로 쉽게 통합할 수 있습니다. 광섬유 통신 장비, 광 전력 측정/모니터링에 이상적입니다.

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제품 설명

제품개요-3mm InGaAs PIN 포토다이오드 TO5

Box Optronics의 BPD-3STO5B-FW는 TO5 패키지와 평면 창으로 제공되는 3mm 활성 영역 InGaAs PIN 광다이오드입니다. 이 3mm InGaAs PIN 포토다이오드 TO5는 광 파워 미터, 광섬유 테스트 및 측정, 광 감지 및 NIR 분광학 애플리케이션용으로 설계되었습니다. 안정적인 PIN 포토다이오드 구조를 기반으로 900nm~1650nm의 입사 광신호를 우수한 선형성, 높은 책임감, 안정적인 장기 성능을 갖춘 비례 광전류로 변환합니다.

주요특징-3mm InGaAs PIN 포토다이오드 TO5

● 넓은 활성 영역 직경: 3mm

● 넓은 스펙트럼 응답 범위: 900nm~1650nm(주요 근적외선(NIR) 감지 응용 분야 포함)

● 높은 응답성: 1310nm에서 일반 0.9A/W, 1550nm에서 일반 0.95A/W

● 고감도 미약신호 감지를 위한 낮은 암전류

● 낮은 접합 용량으로 빠른 응답 속도와 넓은 대역폭 작동 지원

● 밀폐형 TO5 평면 창 금속 패키지

일반적인 응용 분야 - 3mm InGaAs PIN 포토다이오드 TO5

● 광파워미터 및 광파워 모니터링 모듈

● 광섬유 테스트 및 측정 장비

● 광신호 감지 및 전력 모니터링 시스템

● 약한 광신호 측정 및 특성화

● 근적외선(NIR) 분광학 및 분석 기기

● 레이저 출력 모니터링 및 제어 시스템

● 자유 공간 광학 감지 및 광학 감지 시스템

● 포토닉스 연구 및 실험실 장비

● 광 감쇠기 교정 및 특성화

기술 사양 - 3mm InGaAs PIN 포토다이오드 TO5

절대 최대 정격(TC = 25°C)

매개변수	상징	평가	단위
역전압	VR맥스	20	V
작동 케이스 온도	맨 위	-40 ~ +85	℃
보관 온도	TST	-55 ~ +120	℃

전기광학적 특성(TC = 25°C)

매개변수	상징	테스트 조건	최소	유형	최대.	단위
활성 영역 직경	φ	-	-	3	-	mm
스펙트럼 범위	λ	-	900	-	1650	nm
1310nm에서의 반응성	R	VR = 0V	0.85	0.9	-	A/W
반응성 @ 1550nm	R	VR = 0V	-	0.95	-	A/W
작동 역전압	VR	-	-	-	-5	V
암전류	ID	VR = -5V	-	2	10	나
정전 용량	C	VR = -5V, f = 1MHz	-	160	230	pF
정전 용량	C	VR = 0V, f = 1MHz	-	400	600	pF

패키지 크기 및 핀 정의 - 3mm InGaAs PIN 포토다이오드 TO5

주문정보-3mm InGaAs PIN 포토다이오드 TO5

모델 명칭

BPD - X X ~ XX - X - X

예: BPD-3STO5B-FW

필드	암호	설명
제품 시리즈	BPD	박스형 포토다이오드 시리즈
활성 영역 크기	3S	3S = 직경 3mm (1S=1mm, 2S=2mm, 5S=5mm)
패키지 유형	TO5	TO5 = TO5 패키지(TO46=TO46)
핀 유형	B	B = B 유형 핀아웃
창 유형	FW	FW = 평면 창