5mm InGaAs PIN 포토다이오드 TO5

전문 광전자 부품 제조업체 및 공급업체인 Box Optronics는 5mm InGaAs PIN 포토다이오드 TO5(모델: BPD-5STO5B-FW)를 제공합니다. 최대 광 수집을 위한 넓은 5mm 활성 영역, 900nm~1650nm의 넓은 스펙트럼 응답, 높은 응답성, 낮은 암전류 및 밀폐형 TO5 평면 창 금속 패키지가 특징입니다. Box Optronics는 장비 생산 프로그램을 위한 장기 공급을 제공합니다.

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제품 설명

제품 개요 - 5mm InGaAs PIN 포토다이오드 TO5

Box Optronics의 BPD-5STO5B-FW는 평면 창이 있는 TO5 밀폐형 패키지로 제공되는 5mm 활성 영역 InGaAs PIN 광다이오드입니다. 900 -1650nm 스펙트럼 응답은 일반적인 근적외선 감지 및 분광학 파장을 포괄합니다. 넓은 5mm 활성 영역은 크거나 발산하는 빔에 대해 높은 광학 수집 기능과 정렬 허용 오차를 제공하므로 자유 공간 광학 감지, 전력 측정 및 NIR 감지 응용 분야에 적합합니다.

주요 특징 - 5mm InGaAs PIN 포토다이오드 TO5

· 대형 활성 영역 직경: 5mm

· 넓은 스펙트럼 응답 범위: 900nm~1650nm

· 높은 응답성: 1310nm에서 일반 0.9A/W; 1550nm에서 일반 0.95A/W

· 낮은 암전류

· 밀폐형 TO5 평면 창 금속 패키지

· 자유 공간 광학 감지 및 대형 빔 전력 측정에 적합

일반적인 응용 분야 - 5mm InGaAs PIN 포토다이오드 TO5

· 광 파워 미터 및 휴대용 광 파워 측정 장치

· 광전력 모니터링 모듈 및 광학 장비에 내장된 전력 모니터링

· 광섬유 통신 테스트 및 측정 장비

· 크거나 발산하는 빔을 사용하는 자유 공간 광학 감지 및 광학 감지 시스템

· 900~1650nm 범위의 근적외선(NIR) 분광학 및 분석 기기

· 광 감쇠기 교정 및 광학 부품 특성화

· 포토닉스 연구 및 실험실 광학 측정 장비

· 광학 테스트 장비, 광섬유 기기 및 산업용 광학 시스템에 OEM 통합

제품 사양 - 5mm InGaAs PIN 포토다이오드 TO5

절대 최대 정격(TC = 25°C)

매개변수	상징	평가	단위
역전압	VR맥스	5	V
작동 케이스 온도	맨 위	-40 ~ +85	℃
보관 온도	TST	-55 ~ +120	℃

전기광학적 특성(TC = 25°C)

매개변수	상징	테스트 조건	최소	유형	최대.	단위
활성 영역 직경	φ	-	-	5	-	mm
스펙트럼 범위	λ	-	900	-	1650	nm
1310nm에서의 반응성	R	VR = 0V	0.85	0.9	-	A/W
반응성 @ 1550nm	R	VR = 0V	-	0.95	-	A/W
작동 역전압	VR	VR = -5V	-	-	-5	V
암전류	ID	VR = -5V	-	2	10	나
접합 용량	C	VR = -5V, f = 1MHz	-	160	230	pF
접합 용량	C	VR = 0V, f = 1MHz	-	400	600	pF

패키지 크기 및 핀 정의 - 5mm InGaAs PIN 포토다이오드 TO5

주문 정보 - 5mm InGaAs PIN 포토다이오드 TO5

모델 명칭

BPD - X X ~ XX - X - X

예: BPD-5STO5B-FW

필드	암호	설명
제품 시리즈	BPD	박스형 포토다이오드 시리즈
활성 영역 크기	5S	5S = 직경 5mm (1S=1mm, 2S=2mm, 3S=3mm, 5S=5mm)
패키지 유형	TO5	TO5 = TO5 패키지(TO46=TO46)
핀 유형	B	B = B 유형 핀아웃
창 유형	FW	FW = 평면 창(BL = 볼 렌즈/구면 렌즈)

데이터시트

자주 묻는 질문(FAQ)

Q: 5mm, 3mm, 2mm, 1mm InGaAs PIN 포토다이오드의 차이점은 무엇입니까?

A: 주요 차이점은 활성 영역 직경이며 이는 광학 수집 기능, 정렬 공차 및 접합 용량(및 대역폭)에 영향을 미칩니다. 5mm 장치는 가장 큰 활성 영역과 더 큰 정렬 허용 오차를 제공하므로 자유 공간 감지, 크거나 발산하는 빔, 정확한 정렬이 더 어려운 광 출력 측정에 매우 적합합니다. 그러나 활성 영역이 더 크면 접합 커패시턴스가 더 높아져(-5V에서 일반적으로 160pF) 더 작은 영역의 장치에 비해 대역폭이 제한됩니다. 3mm 및 2mm 장치는 광학 수집 기능과 대역폭 간의 균형을 제공하는 반면, 1mm 장치는 일반적으로 더 낮은 정전 용량과 더 빠른 응답을 제공하지만 더 정확한 광학 정렬이 필요합니다. 선택은 애플리케이션의 빔 크기, 결합 방법 및 대역폭 요구 사항에 따라 달라집니다.

Q: 이 5mm InGaAs 포토다이오드는 어떤 파장 범위를 감지할 수 있습니까?

A: 이 InGaAs PIN 포토다이오드는 O 밴드(1260~1360nm), C 밴드(1530~1565nm) 및 L 밴드(1565~1625nm)를 포함하여 일반적으로 사용되는 광학 파장을 포함하여 900nm~1650nm의 넓은 스펙트럼 응답을 제공합니다. 응답성은 1310nm(일반 0.9A/W) 및 1550nm(일반 0.95A/W)로 지정됩니다. 이 범위 내에서는 광 출력 측정, 레이저 모니터링, 감지, 분광학 및 광학 계측과 같은 NIR 감지 응용 분야에 적합합니다.

Q: 최소 주문 수량(MOQ)은 얼마입니까?

A: 5mm InGaAs PIN 포토다이오드 TO5의 MOQ는 1개입니다. 우리는 R&D 및 프로토타입 제작을 위한 단일 단위부터 장비 생산 및 OEM 프로그램을 위한 대량 생산에 이르기까지 유연한 주문 수량을 지원합니다. 필요한 수량에 따른 가격은 당사 영업팀에 문의하세요.